原子级氟掺杂助力IGZO晶体管可靠性突破 —— VLSI 2024上的关键成果解读 本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破，通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管在高温下的可靠性，实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能，刷新氧化物晶体管的国际纪录，该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集 晶体管 vlsi igzo 原子级 igzo晶体管 2025-09-14 11:31 3